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VS-8EWS12STR-M3

VS-8EWS12STR-M3

僅供參考

型號 VS-8EWS12STR-M3
PNEDA編號 VS-8EWS12STR-M3
描述 DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 8,622
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 22 - 五月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-8EWS12STR-M3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-8EWS12STR-M3
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
VS-8EWS12STR-M3, VS-8EWS12STR-M3數據表 (總頁數: 7, 大小: 166.11 KB)
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VS-8EWS12STR-M3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 8A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr50µA @ 1200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝D-PAK (TO-252AA)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1300V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1300V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 15mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 50V

電容@ Vr,F

2pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

40ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

75pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-41

工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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800V

電流-平均整流(Io)

25A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.14V @ 25A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 800V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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