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VS-20ETS12STRL-M3

VS-20ETS12STRL-M3

僅供參考

型號 VS-20ETS12STRL-M3
PNEDA編號 VS-20ETS12STRL-M3
描述 DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 5,220
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-20ETS12STRL-M3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-20ETS12STRL-M3
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-20ETS12STRL-M3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)20A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 20A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 1200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263 (D2Pak)
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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1.7V @ 10A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 600V

電容@ Vr,F

430pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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Taiwan Semiconductor Corporation

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

650mV @ 50mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 25V

電容@ Vr,F

7pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-35

工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

780mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 100V

電容@ Vr,F

860pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

25nA @ 175V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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