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VS-10ETF10FP-M3

VS-10ETF10FP-M3

僅供參考

型號 VS-10ETF10FP-M3
PNEDA編號 VS-10ETF10FP-M3
描述 DIODE GEN PURP 1KV 10A TO220FP
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,212
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 12 - 六月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-10ETF10FP-M3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-10ETF10FP-M3
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-10ETF10FP-M3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1000V
電流-平均整流(Io)10A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.33V @ 10A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)310ns
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 1000V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2 Full Pack
供應商設備包裝TO-220-2 Full Pack
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

650mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

12µA @ 2A

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-216AA

供應商設備包裝

Powermite

工作溫度-結點

-65°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 150V

電容@ Vr,F

45pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-214AB (SMC)

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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制造商

Diodes Incorporated

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

500V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 500V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

75pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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