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VBT1045CBP-M3/4W

VBT1045CBP-M3/4W

僅供參考

型號 VBT1045CBP-M3/4W
PNEDA編號 VBT1045CBP-M3-4W
描述 DIODE SCHOTTKY 10A 45V TO-263AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,526
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VBT1045CBP-M3/4W資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VBT1045CBP-M3/4W
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
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VBT1045CBP-M3/4W規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列TMBS®
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)45V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果580mV @ 5A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr500µA @ 45V
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263AB

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

820mV @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 45V

工作溫度-結點

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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5µA @ 200V

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

40A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.14V @ 40A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1.5mA @ 135V

工作溫度-結點

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

235ns

當前-反向泄漏@ Vr

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