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US1B-M3/5AT

US1B-M3/5AT

僅供參考

型號 US1B-M3/5AT
PNEDA編號 US1B-M3-5AT
描述 DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 7,326
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 14 - 六月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

US1B-M3/5AT資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號US1B-M3/5AT
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
US1B-M3/5AT, US1B-M3/5AT數據表 (總頁數: 5, 大小: 85.17 KB)
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US1B-M3/5AT規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 100V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝DO-214AC (SMA)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

300µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

DO-214AC (SMA)

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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Powerex Inc.

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1400V

電流-平均整流(Io)

500A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 800A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

11µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 1400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 10V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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制造商

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Standard, Reverse Polarity

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

150A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

7µs

當前-反向泄漏@ Vr

30mA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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600V

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20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.8V @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

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