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UPD70F3826GB(R)-GAH-AX

UPD70F3826GB(R)-GAH-AX

僅供參考

型號 UPD70F3826GB(R)-GAH-AX
PNEDA編號 UPD70F3826GB-R-GAH-AX
描述 IC MCU 32BIT 64KB FLASH 64LQFP
制造商 Renesas Electronics America
單價 請求報價
庫存 7,902
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 11 - 六月 16 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

UPD70F3826GB(R)-GAH-AX資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號UPD70F3826GB(R)-GAH-AX
類別半導體嵌入式處理器和控制器微控制器
數據表
UPD70F3826GB(R)-GAH-AX, UPD70F3826GB(R)-GAH-AX數據表 (總頁數: 75, 大小: 794.7 KB)
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UPD70F3826GB(R)-GAH-AX規格

制造商Renesas Electronics America
系列V850ES/Jx3-E
核心處理器V850ES
核心大小32-Bit
速度50MHz
連接性CANbus, CSI, Ethernet, I²C, UART/USART, USB
外圍設備DMA, LVD, PWM, WDT
I / O數量26
程序存儲器大小64KB (64K x 8)
程序存儲器類型FLASH
EEPROM大小-
RAM大小32K x 8
電壓-電源(Vcc / Vdd)2.85V ~ 3.6V
數據轉換器A/D 10x10b
振蕩器類型Internal
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱64-LQFP
供應商設備包裝-

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程序存儲器大小

32KB (10.7K x 24)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

2K x 16

電壓-電源(Vcc / Vdd)

3V ~ 3.6V

數據轉換器

A/D 6x10b/12b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

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DMA, LVD, POR, PWM, WDT

I / O數量

48

程序存儲器大小

16KB (16K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

2K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

1.6V ~ 5.5V

數據轉換器

A/D 8x8b, 8x10b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

64-LQFP

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程序存儲器類型

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EEPROM大小

-

RAM大小

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電壓-電源(Vcc / Vdd)

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外圍設備

DMA, POR, PWM, WDT

I / O數量

39

程序存儲器大小

32KB (16K x 16)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

3K x 16

電壓-電源(Vcc / Vdd)

2.7V ~ 3.6V

數據轉換器

A/D 10x12b; D/A 2x12b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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