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UMZ8NTR

UMZ8NTR

僅供參考

型號 UMZ8NTR
PNEDA編號 UMZ8NTR
描述 TRANS NPN/PNP 50V/12V UMT6
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,950
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 26 - 五月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

UMZ8NTR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號UMZ8NTR
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
UMZ8NTR, UMZ8NTR數據表 (總頁數: 5, 大小: 956.9 KB)
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UMZ8NTR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN, PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)150mA, 500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V, 12V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic400mV @ 5mA, 50mA / 250mV @ 10mA, 200mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 1mA, 6V / 270 @ 10mA, 2V
功率-最大150mW
頻率-過渡180MHz, 260MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝UMT6

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

150mW

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 2mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

125 @ 2mA, 5V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 500mA, 2V

功率-最大

2.27W

頻率-過渡

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

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