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ULN2803AFWG,C,EL

ULN2803AFWG,C,EL

僅供參考

型號 ULN2803AFWG,C,EL
PNEDA編號 ULN2803AFWG-C-EL
描述 TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SOL
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 7,344
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 11 - 五月 16 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ULN2803AFWG資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ULN2803AFWG,C,EL
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列

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ULN2803AFWG規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型8 NPN Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.6V @ 500µA, 350mA
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce1000 @ 350mA, 2V
功率-最大1.31W
頻率-過渡-
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
供應商設備包裝18-SOL

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10µA, 5V

功率-最大

600mW

頻率-過渡

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工作溫度

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安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 100mA, 1V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V, 50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

260mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 100mA, 2V

功率-最大

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頻率-過渡

420MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 50mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 200mA, 2V

功率-最大

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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