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ULN2003LVDR

ULN2003LVDR

僅供參考

型號 ULN2003LVDR
PNEDA編號 ULN2003LVDR
描述 IC POWER RELAY N-CHAN 16SOIC
制造商 Texas Instruments
單價 請求報價
庫存 26,082
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 30 - 五月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ULN2003LVDR資源

品牌 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ULN2003LVDR
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列

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ULN2003LVDR規格

制造商
系列-
晶體管類型7 NPN Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.6V @ 500µA, 350mA
當前-集電極截止(最大值)50µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝16-SOIC

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100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

380mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

NPN, PNP Complementary Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

210 @ 2mA, 10V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 1mA, 5V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-78-6 Metal Can

供應商設備包裝

TO-78-6

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制造商

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系列

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晶體管類型

2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

175MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353

供應商設備包裝

5-TSSOP

PBSS2515YPN/ZLX

Nexperia

制造商

Nexperia USA Inc.

系列

-

晶體管類型

NPN, PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 10mA, 2V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

250MHz, 100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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