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ULN2003AN

ULN2003AN

僅供參考

型號 ULN2003AN
PNEDA編號 ULN2003AN
描述 IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16DIP
制造商 Texas Instruments
單價 請求報價
庫存 59,766
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 7 - 五月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ULN2003AN資源

品牌 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ULN2003AN
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列

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ULN2003AN規格

制造商
系列-
晶體管類型7 NPN Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.6V @ 500µA, 350mA
當前-集電極截止(最大值)50µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-20°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Through Hole
包裝/箱16-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝16-PDIP

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制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

系列

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 2mA, 6V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

80MHz

工作溫度

125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供應商設備包裝

US6

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制造商

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系列

-

晶體管類型

NPN, PNP (Emitter Coupled)

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V, 50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

190mV @ 10mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 100mA, 2V

功率-最大

1.2W

頻率-過渡

420MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-74A, SOT-753

供應商設備包裝

5-CPH

HN1C01FU-GR,LF

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制造商

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系列

-

晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 6V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

80MHz

工作溫度

125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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US6

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晶體管類型

NPN, PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供應商設備包裝

6-TSSOP

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制造商

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系列

-

晶體管類型

4 NPN Darlington (Quad)

當前-集電極(Ic)(最大值)

1.2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

頻率-過渡

-

工作溫度

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