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ULN2003AIDR

ULN2003AIDR

僅供參考

型號 ULN2003AIDR
PNEDA編號 ULN2003AIDR
描述 IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOIC
制造商 Texas Instruments
單價 請求報價
庫存 225,162
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 29 - 五月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ULN2003AIDR資源

品牌 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ULN2003AIDR
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列

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ULN2003AIDR規格

制造商
系列-
晶體管類型7 NPN Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.6V @ 500µA, 350mA
當前-集電極截止(最大值)50µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝16-SOIC

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800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

400mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

200mW

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工作溫度

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 6V

功率-最大

100mW

頻率-過渡

60MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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4 NPN Darlington (Quad)

當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 10mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 2A, 4V

功率-最大

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頻率-過渡

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工作溫度

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