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ULN2002A

ULN2002A

僅供參考

型號 ULN2002A
PNEDA編號 ULN2002A
描述 IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16DIP
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 14,754
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 11 - 五月 16 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ULN2002A資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ULN2002A
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
ULN2002A, ULN2002A數據表 (總頁數: 17, 大小: 723.98 KB)
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ULN2002A規格

制造商STMicroelectronics
系列-
晶體管類型7 NPN Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.6V @ 500µA, 350mA
當前-集電極截止(最大值)50µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce1000 @ 350mA, 2V
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Through Hole
包裝/箱16-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝16-DIP

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晶體管類型

NPN, PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

NPN, PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 2mA, 10V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

150MHz, 80MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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晶體管類型

NPN, PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

4.5A, 4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V, 12V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

280mV @ 50mA, 4.5A / 300mV @ 150mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

25nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 3A, 2V / 180 @ 2.5A, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

120MHz, 110MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 6mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 3A, 4V

功率-最大

4W, 20W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 100µA, 10V

功率-最大

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