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TST30L120CW C0G

TST30L120CW C0G

僅供參考

型號 TST30L120CW C0G
PNEDA編號 TST30L120CW-C0G
描述 DIODE SCHOTTKY 120V 15A TO220AB
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 3,096
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TST30L120CW C0G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TST30L120CW C0G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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TST30L120CW C0G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)120V
電流-平均整流(Io)15A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果880mV @ 15A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr200µA @ 120V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 800mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

Sub SMA

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

60pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SMC (DO-214AB)

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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440mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10mA @ 20V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

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2.9V @ 2000A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

5µs

當前-反向泄漏@ Vr

100mA @ 4500V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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