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TSM10N60CI C0

TSM10N60CI C0

僅供參考

型號 TSM10N60CI C0
PNEDA編號 TSM10N60CI-C0
描述 MOSFET N-CHANNEL
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 4,932
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 14 - 五月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TSM10N60CI C0資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TSM10N60CI C0
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
TSM10N60CI C0, TSM10N60CI C0數據表 (總頁數: 9, 大小: 554.78 KB)
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TSM10N60CI C0規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)10A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs750mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs45.8nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1738pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)50W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝ITO-220
包裝/箱TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

750mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

990mOhm @ 100mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.41nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

31pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

330mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 370µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1010pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

32W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

52mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1173pF @ 4V

FET功能

-

功耗(最大值)

960mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.35Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

226pF @ 100V

FET功能

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功耗(最大值)

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工作溫度

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