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TSC5802DCHC5G

TSC5802DCHC5G

僅供參考

型號 TSC5802DCHC5G
PNEDA編號 TSC5802DCHC5G
描述 TRANSISTOR, NPN, 450V, 2.5A, 18A
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 7,056
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TSC5802DCHC5G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TSC5802DCHC5G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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TSC5802DCHC5G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)2.5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)450V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic3V @ 600mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)250µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce50 @ 100mA, 5V
功率-最大30W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供應商設備包裝TO-251 (IPAK)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 2mA, 5V

功率-最大

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頻率-過渡

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工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

260mV @ 200mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

25nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

175 @ 1A, 5V

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80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 2mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

300mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 30mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 50mA, 1V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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