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TPS28225DR

TPS28225DR

僅供參考

型號 TPS28225DR
PNEDA編號 TPS28225DR
描述 IC SYNC MOSFET DVR 4A 8-SOIC
制造商 Texas Instruments
單價 請求報價
庫存 39,576
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 30 - 五月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TPS28225DR資源

品牌 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TPS28225DR
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器

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TPS28225DR規格

制造商
系列-
驅動配置Half-Bridge
頻道類型Synchronous
驅動程序數量2
門類型N-Channel MOSFET
電壓-供電4.5V ~ 8.8V
邏輯電壓-VIL,VIH-
電流-峰值輸出(源極,接收器)-
輸入類型Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)33V
上升/下降時間(典型值)10ns, 10ns
工作溫度-40°C ~ 125°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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驅動程序數量

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門類型

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

200mA, 350mA

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

125ns, 50ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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頻道類型

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驅動程序數量

2

門類型

IGBT

電壓-供電

4.5V ~ 18V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

3A, 3A

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

12ns, 12ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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頻道類型

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驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 30V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 3V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

4A, 4A

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

9ns, 8ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-VDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

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系列

Automotive, AEC-Q100

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

3-Phase

驅動程序數量

6

門類型

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

200mA, 350mA

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

125ns, 50ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

供應商設備包裝

28-SOIC

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系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 13.5V

邏輯電壓-VIL,VIH

1.85V, 3.25V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

2.5A, 3A

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

114V

上升/下降時間(典型值)

8ns, 5ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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