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TPCC8006-H(TE12LQM

TPCC8006-H(TE12LQM

僅供參考

型號 TPCC8006-H(TE12LQM
PNEDA編號 TPCC8006-H-TE12LQM
描述 MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
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庫存 4,806
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 21 - 七月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TPCC8006-H(TE12LQM資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TPCC8006-H(TE12LQM
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
TPCC8006-H(TE12LQM, TPCC8006-H(TE12LQM數據表 (總頁數: 7, 大小: 177.86 KB)
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TPCC8006-H(TE12LQM規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSVI-H
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)22A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs8mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.3V @ 200µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs27nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2200pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)700mW (Ta), 27W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-TSON Advance (3.3x3.3)
包裝/箱8-PowerVDFN

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600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 200µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

295mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

66nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

860pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

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安裝類型

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180mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

3V, 5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10Ohm @ 250mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

85pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

700mW (Ta)

工作溫度

-

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

27A (Ta), 127A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.8mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.7W (Ta), 83W (Tc)

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