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TPC8110(TE12L,Q,M)

TPC8110(TE12L,Q,M)

僅供參考

型號 TPC8110(TE12L,Q,M)
PNEDA編號 TPC8110-TE12L-Q-M
描述 MOSFET P-CH 40V 8A SOP8 2-6J1B
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 6,354
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 12 - 七月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TPC8110(TE12L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TPC8110(TE12L,Q,M)
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TPC8110(TE12L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSIII
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs25mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs48nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2180pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)1W (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SOP (5.5x6.0)
包裝/箱8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

199mOhm @ 9.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 660µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1800pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

450mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

52.4nC @ 10V

Vgs(最大)

30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1090pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

40W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.8mOhm @ 22A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

170nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.9W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

20V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

900mOhm @ 8.5A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

155nC @ 15V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

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