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TK8Q60W,S1VQ

TK8Q60W,S1VQ

僅供參考

型號 TK8Q60W,S1VQ
PNEDA編號 TK8Q60W-S1VQ
描述 MOSFET N CH 600V 8A IPAK
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 8,856
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 15 - 六月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TK8Q60W資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TK8Q60W,S1VQ
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TK8Q60W規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列DTMOSIV
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs500mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.7V @ 400µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs18.5nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds570pF @ 300V
FET功能Super Junction
功耗(最大值)80W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝I-PAK
包裝/箱TO-251-3 Stub Leads, IPak

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

90nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

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4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

52nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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