TK4A60DB(STA4,Q,M)
僅供參考
| 型號 | TK4A60DB(STA4,Q,M) |
| PNEDA編號 | TK4A60DB-STA4-Q-M |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 3.7A TO-220SIS |
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 5,850 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 六月 2 - 六月 7 (選擇加急運輸) |
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TK4A60DB(STA4資源
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | TK4A60DB(STA4,Q,M) |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET，MOSFET-單 |
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TK4A60DB(STA4規格
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 系列 | π-MOSVII |
| FET類型 | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 600V |
| 電流-25°C時的連續漏極（Id） | 3.7A (Ta) |
| 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） | 10V |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 2Ohm @ 1.9A, 10V |
| Vgs（th）（最大）@ ID | 4.4V @ 1mA |
| 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs | 11nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 540pF @ 25V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 35W (Tc) |
| 工作溫度 | 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Through Hole |
| 供應商設備包裝 | TO-220SIS |
| 包裝/箱 | TO-220-3 Full Pack |
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