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TIS97_J35Z

TIS97_J35Z

僅供參考

型號 TIS97_J35Z
PNEDA編號 TIS97_J35Z
描述 TRANS NPN 40V 0.5A TO-92-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,848
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 7 - 六月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TIS97_J35Z資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TIS97_J35Z
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
TIS97_J35Z, TIS97_J35Z數據表 (總頁數: 7, 大小: 293.56 KB)
PDFTIS97_J35Z數據表 封面
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TIS97_J35Z規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)10nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce250 @ 100µA, 5V
功率-最大625mW
頻率-過渡-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92-3

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400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 135mA, 400mA

當前-集電極截止(最大值)

250µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

5 @ 400mA, 5V

功率-最大

950mW

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 400mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

14 @ 300mA, 5V

功率-最大

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

6A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 600mA, 6A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 3A, 4V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

700V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 150mA, 750mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

14 @ 100mA, 5V

功率-最大

2W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

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