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TIP110G

TIP110G

僅供參考

型號 TIP110G
PNEDA編號 TIP110G
描述 TRANS NPN DARL 60V 2A TO220AB
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 22,986
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 19 - 五月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TIP110G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TIP110G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
TIP110G, TIP110G數據表 (總頁數: 8, 大小: 142.81 KB)
PDFTIP116數據表 封面
TIP116數據表 頁面 2 TIP116數據表 頁面 3 TIP116數據表 頁面 4 TIP116數據表 頁面 5 TIP116數據表 頁面 6 TIP116數據表 頁面 7 TIP116數據表 頁面 8

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TIP110G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic2.5V @ 8mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)2mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce1000 @ 1A, 4V
功率-最大2W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 100mA, 1V

功率-最大

225mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 100µA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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NPN - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 200mA, 20A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1250 @ 10A, 3V

功率-最大

175W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-204AA (TO-3)

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 10mA, 5V

功率-最大

2W

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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