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TH58NYG2S3HBAI4

TH58NYG2S3HBAI4

僅供參考

型號 TH58NYG2S3HBAI4
PNEDA編號 TH58NYG2S3HBAI4
描述 4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V
制造商 Toshiba Memory America, Inc.
單價 請求報價
庫存 7,176
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 15 - 六月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TH58NYG2S3HBAI4資源

品牌 Toshiba Memory America, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TH58NYG2S3HBAI4
類別半導體內存IC內存

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TH58NYG2S3HBAI4規格

制造商Toshiba Memory America, Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND (SLC)
內存大小4Gb (512M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁25ns
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱63-BGA
供應商設備包裝63-BGA (9x11)

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內存類型

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內存格式

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內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

4Kb (512 x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

10MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

4Kb (512 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Kb (64 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

18Mb (256K x 36 x 2, 256K x 72)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

600ps

電壓-供電

1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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