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TH58BYG3S0HBAI4

TH58BYG3S0HBAI4

僅供參考

型號 TH58BYG3S0HBAI4
PNEDA編號 TH58BYG3S0HBAI4
描述 8GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 1.8
制造商 Toshiba Memory America, Inc.
單價 請求報價
庫存 6,606
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 25 - 七月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TH58BYG3S0HBAI4資源

品牌 Toshiba Memory America, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TH58BYG3S0HBAI4
類別半導體內存IC內存

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TH58BYG3S0HBAI4規格

制造商Toshiba Memory America, Inc.
系列Benand™
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND (SLC)
內存大小8Gb (1G x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁25ns
訪問時間25ns
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱63-VFBGA
供應商設備包裝63-TFBGA (9x11)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

12ns

電壓-供電

3.15V ~ 3.45V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

128Mb (8M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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時鐘頻率

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電壓-供電

1.65V ~ 2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

35ns

訪問時間

35ns

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工作溫度

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

-

電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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