TH58BYG2S3HBAI6
僅供參考
| 型號 | TH58BYG2S3HBAI6 |
| PNEDA編號 | TH58BYG2S3HBAI6 |
| 描述 | IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA |
| 制造商 | Toshiba Memory America, Inc. |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 7,980 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 五月 20 - 五月 25 (選擇加急運輸) |
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TH58BYG2S3HBAI6資源
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TH58BYG2S3HBAI6規格
| 制造商 | Toshiba Memory America, Inc. |
| 系列 | Benand™ |
| 內存類型 | Non-Volatile |
| 內存格式 | FLASH |
| 技術 | FLASH - NAND (SLC) |
| 內存大小 | 4Gb (512M x 8) |
| 內存接口 | Parallel |
| 時鐘頻率 | - |
| 寫周期-字，頁 | 25ns |
| 訪問時間 | 25ns |
| 電壓-供電 | 1.7V ~ 1.95V |
| 工作溫度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包裝/箱 | 67-VFBGA |
| 供應商設備包裝 | 67-VFBGA (6.5x8) |
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