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TC58NVG1S3ETA00

TC58NVG1S3ETA00

僅供參考

型號 TC58NVG1S3ETA00
PNEDA編號 TC58NVG1S3ETA00
描述 IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I
制造商 Toshiba Memory America, Inc.
單價 請求報價
庫存 25,230
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 16 - 五月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TC58NVG1S3ETA00資源

品牌 Toshiba Memory America, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TC58NVG1S3ETA00
類別半導體內存IC內存
數據表
TC58NVG1S3ETA00, TC58NVG1S3ETA00數據表 (總頁數: 65, 大小: 491.57 KB)
PDFTC58NVG1S3ETA00數據表 封面
TC58NVG1S3ETA00數據表 頁面 2 TC58NVG1S3ETA00數據表 頁面 3 TC58NVG1S3ETA00數據表 頁面 4 TC58NVG1S3ETA00數據表 頁面 5 TC58NVG1S3ETA00數據表 頁面 6 TC58NVG1S3ETA00數據表 頁面 7 TC58NVG1S3ETA00數據表 頁面 8 TC58NVG1S3ETA00數據表 頁面 9 TC58NVG1S3ETA00數據表 頁面 10 TC58NVG1S3ETA00數據表 頁面 11

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TC58NVG1S3ETA00規格

制造商Toshiba Memory America, Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND (SLC)
內存大小2Gb (256M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁25ns
訪問時間25ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝48-TSOP I

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)

供應商設備包裝

28-SOIC

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

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內存大小

9Mb (256K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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系列

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內存類型

-

內存格式

-

技術

-

內存大小

-

內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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內存格式

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

96ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

24-VBGA

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內存大小

576Mb (32M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

300MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

20ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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