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STW40N60M2

STW40N60M2

僅供參考

型號 STW40N60M2
PNEDA編號 STW40N60M2
描述 MOSFET N-CH 600V 34A TO-247
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 19,068
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 12 - 六月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STW40N60M2資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STW40N60M2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STW40N60M2, STW40N60M2數據表 (總頁數: 21, 大小: 1,116.91 KB)
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STW40N60M2規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ II Plus
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)34A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs88mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs57nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2500pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)250W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247
包裝/箱TO-247-3

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技術

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200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

235mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

131A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.3mOhm @ 101A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

260nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5480pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

200W (Tc)

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80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.3mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

111nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8161pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

306W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

125mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

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Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

338pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

36W (Tc)

工作溫度

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