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STW27N60M2-EP

STW27N60M2-EP

僅供參考

型號 STW27N60M2-EP
PNEDA編號 STW27N60M2-EP
描述 MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 12,312
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 12 - 六月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STW27N60M2-EP資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STW27N60M2-EP
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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STW27N60M2-EP規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ M2-EP
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)20A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs163mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.75V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs33nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1320pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)170W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247-3
包裝/箱TO-247-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.8Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

15pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

900V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

180W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

480mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

123nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4080pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

305pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.25W (Ta), 1.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Vgs(th)(最大)@ ID

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-

功耗(最大值)

139W (Tc)

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安裝類型

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供應商設備包裝

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包裝/箱

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