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STP35N65M5

STP35N65M5

僅供參考

型號 STP35N65M5
PNEDA編號 STP35N65M5
描述 MOSFET N-CH 650V 27A TO-220
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 3,222
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 10 - 六月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STP35N65M5資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STP35N65M5
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STP35N65M5, STP35N65M5數據表 (總頁數: 22, 大小: 1,273.21 KB)
PDFSTI35N65M5數據表 封面
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STP35N65M5規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ V
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)27A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs98mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs83nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3750pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)160W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

510mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

37nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1633pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

32A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

53nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1860pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 90A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

240nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7000pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

3.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±40V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

200pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

750mW (Ta)

工作溫度

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