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STN749

STN749

僅供參考

型號 STN749
PNEDA編號 STN749
描述 TRANS PNP 25V 3A SOT223
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 8,190
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 3 - 六月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STN749資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STN749
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
STN749, STN749數據表 (總頁數: 6, 大小: 135 KB)
PDFSTN749數據表 封面
STN749數據表 頁面 2 STN749數據表 頁面 3 STN749數據表 頁面 4 STN749數據表 頁面 5 STN749數據表 頁面 6

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STN749規格

制造商STMicroelectronics
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)25V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic600mV @ 300mA, 3A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 1A, 2V
功率-最大1.6W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝SOT-223

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制造商

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

400nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 10mA, 1V

功率-最大

350mW

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 4A, 2V

功率-最大

50W

頻率-過渡

30MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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系列

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

750V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 2.75A, 11A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

5.5 @ 11A, 5V

功率-最大

200W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

65W

頻率-過渡

20MHz

工作溫度

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