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STL80N75F6

STL80N75F6

僅供參考

型號 STL80N75F6
PNEDA編號 STL80N75F6
描述 MOSFET N-CH 75V 18A POWERFLAT56
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 5,544
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STL80N75F6資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STL80N75F6
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STL80N75F6, STL80N75F6數據表 (總頁數: 15, 大小: 973.39 KB)
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STL80N75F6規格

制造商STMicroelectronics
系列DeepGATE™, STripFET™ VI
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)75V
電流-25°C時的連續漏極(Id)80A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs6.3mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs100nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7120pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)80W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerFlat™ (5x6)
包裝/箱8-PowerVDFN

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 100mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.55nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

36pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1140pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.75W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TA)

安裝類型

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700V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 700mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 40µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.7nC @ 400V

Vgs(最大)

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FET功能

-

功耗(最大值)

22.7W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

340mOhm @ 9.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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