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STI200N6F3

STI200N6F3

僅供參考

型號 STI200N6F3
PNEDA編號 STI200N6F3
描述 MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 7,326
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 19 - 五月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STI200N6F3資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STI200N6F3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STI200N6F3, STI200N6F3數據表 (總頁數: 16, 大小: 852.51 KB)
PDFSTI200N6F3數據表 封面
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STI200N6F3規格

制造商STMicroelectronics
系列STripFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)120A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.8mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs101nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6265pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)330W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝I2PAK (TO-262)
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

48A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 15.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 800µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

67nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2895pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.4nC @ 4.5V

Vgs(最大)

+20V, -25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

159pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

600mW (Ta)

工作溫度

150°C

安裝類型

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55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3519pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

167W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 185°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

135mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

310pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.75W (Ta), 45W (Tc)

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功耗(最大值)

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