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STGW30N120KD

STGW30N120KD

僅供參考

型號 STGW30N120KD
PNEDA編號 STGW30N120KD
描述 IGBT 1200V 60A 220W TO247
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 8,982
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 18 - 六月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGW30N120KD資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGW30N120KD
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
STGW30N120KD, STGW30N120KD數據表 (總頁數: 15, 大小: 419.27 KB)
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STGW30N120KD規格

制造商STMicroelectronics
系列PowerMESH™
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)60A
電流-集電極脈沖(Icm)100A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.85V @ 15V, 20A
功率-最大220W
開關能量2.4mJ (on), 4.3mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用105nC
25°C時的Td(開/關)36ns/251ns
測試條件960V, 20A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)84ns
工作溫度-55°C ~ 125°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247-3

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42A

電流-集電極脈沖(Icm)

60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 20A

功率-最大

125W

開關能量

170µJ (on), 60µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

48nC

25°C時的Td(開/關)

18ns/156ns

測試條件

400V, 10A, 32Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

52ns

工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 20A

功率-最大

150W

開關能量

6.5mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

63nC

25°C時的Td(開/關)

28ns/400ns

測試條件

800V, 20A, 47Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

125A

電流-集電極脈沖(Icm)

400A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 55A

功率-最大

460W

開關能量

5.1mJ (on), 13.3mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

185nC

25°C時的Td(開/關)

23ns/365ns

測試條件

960V, 55A, 3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

200ns

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.5V @ 15V, 10A

功率-最大

44.6W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

65nC

25°C時的Td(開/關)

22ns/130ns

測試條件

200V, 20A, 20Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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