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STGP6M65DF2

STGP6M65DF2

僅供參考

型號 STGP6M65DF2
PNEDA編號 STGP6M65DF2
描述 TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 13,338
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 14 - 五月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGP6M65DF2資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGP6M65DF2
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
STGP6M65DF2, STGP6M65DF2數據表 (總頁數: 17, 大小: 952.91 KB)
PDFSTGP6M65DF2數據表 封面
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STGP6M65DF2規格

制造商STMicroelectronics
系列M
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)12A
電流-集電極脈沖(Icm)24A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2V @ 15V, 6A
功率-最大88W
開關能量40µJ (on), 136µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用21.2nC
25°C時的Td(開/關)12ns/86ns
測試條件400V, 6A, 22Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)140ns
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

9A

電流-集電極脈沖(Icm)

10A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

7V @ 15V, 5A

功率-最大

100W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

34nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

960V, 5A, 27Ohm, 10V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 50A

功率-最大

250W

開關能量

1.68mJ (on), 1.03mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

145nC

25°C時的Td(開/關)

26ns/66ns

測試條件

300V, 50A, 5.9Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

100ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

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93A

電流-集電極脈沖(Icm)

195A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.15V @ 15V, 50A

功率-最大

415W

開關能量

755µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

235nC

25°C時的Td(開/關)

16ns/225ns

測試條件

400V, 50A, 4.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

9.6A

電流-集電極脈沖(Icm)

9.9A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 3A

功率-最大

62.5W

開關能量

290µJ

輸入類型

Standard

門禁費用

22nC

25°C時的Td(開/關)

9.2ns/281ns

測試條件

800V, 3A, 82Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

42ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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