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STGP4M65DF2

STGP4M65DF2

僅供參考

型號 STGP4M65DF2
PNEDA編號 STGP4M65DF2
描述 IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 16,482
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 29 - 六月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGP4M65DF2資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGP4M65DF2
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
STGP4M65DF2, STGP4M65DF2數據表 (總頁數: 16, 大小: 974.65 KB)
PDFSTGP4M65DF2數據表 封面
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STGP4M65DF2規格

制造商STMicroelectronics
系列M
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)8A
電流-集電極脈沖(Icm)16A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 4A
功率-最大68W
開關能量40µJ (on), 136µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用15.2nC
25°C時的Td(開/關)12ns/86ns
測試條件400V, 4A, 47Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)133ns
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

45A

電流-集電極脈沖(Icm)

45A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 15A

功率-最大

195W

開關能量

410µJ (on), 950µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

90nC

25°C時的Td(開/關)

10ns/150ns

測試條件

800V, 15A, 4.3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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制造商

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系列

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

62A

電流-集電極脈沖(Icm)

136A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 30A

功率-最大

230W

開關能量

1.1mJ (on), 400µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

47nC

25°C時的Td(開/關)

20ns/140ns

測試條件

400V, 30A, 15Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

72ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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系列

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IGBT類型

Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電流-集電極脈沖(Icm)

40A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.91V @ 15V, 10A

功率-最大

101W

開關能量

29µJ (on), 200µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

32nC

25°C時的Td(開/關)

27ns/79ns

測試條件

400V, 10A, 22Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

62ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.3V @ 15V, 16A

功率-最大

250W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

72nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

1.32µs

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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