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STGP30V60DF

STGP30V60DF

僅供參考

型號 STGP30V60DF
PNEDA編號 STGP30V60DF
描述 IGBT 600V 60A 258W TO220AB
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 19,404
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGP30V60DF資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGP30V60DF
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
STGP30V60DF, STGP30V60DF數據表 (總頁數: 22, 大小: 1,911.95 KB)
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STGP30V60DF規格

制造商STMicroelectronics
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)60A
電流-集電極脈沖(Icm)120A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.3V @ 15V, 30A
功率-最大258W
開關能量383µJ (on), 233µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用163nC
25°C時的Td(開/關)45ns/189ns
測試條件400V, 30A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)53ns
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

6A

電流-集電極脈沖(Icm)

24A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 3A

功率-最大

68W

開關能量

125µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

16nC

25°C時的Td(開/關)

12.5ns/105ns

測試條件

480V, 3A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

45ns

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

630A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 110A

功率-最大

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開關能量

2.2mJ (on), 1.05mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

183nC

25°C時的Td(開/關)

38ns/156ns

測試條件

400V, 55A, 2Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

100ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 50A

功率-最大

270W

開關能量

1.59mJ (on), 750µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

120nC

25°C時的Td(開/關)

23ns/173ns

測試條件

400V, 50A, 12Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

PG-TO263-3

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制造商

STMicroelectronics

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 20A

功率-最大

200W

開關能量

290µJ (on), 185µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

140nC

25°C時的Td(開/關)

30ns/175ns

測試條件

400V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

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