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STGP30M65DF2

STGP30M65DF2

僅供參考

型號 STGP30M65DF2
PNEDA編號 STGP30M65DF2
描述 IGBT 650V 30A TO-220AB
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 25,218
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 12 - 七月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGP30M65DF2資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGP30M65DF2
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
STGP30M65DF2, STGP30M65DF2數據表 (總頁數: 16, 大小: 689.49 KB)
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STGP30M65DF2規格

制造商STMicroelectronics
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)60A
電流-集電極脈沖(Icm)120A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2V @ 15V, 30A
功率-最大258W
開關能量300µJ (on), 960µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用80nC
25°C時的Td(開/關)31.6ns/115ns
測試條件400V, 30A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)140ns
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220

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當前-集電極(Ic)(最大值)

54A

電流-集電極脈沖(Icm)

96A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 12A

功率-最大

167W

開關能量

55µJ (on), 50µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

78nC

25°C時的Td(開/關)

17ns/96ns

測試條件

390V, 12A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

30ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

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41A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.25V @ 4V, 6A

功率-最大

150W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

21nC

25°C時的Td(開/關)

900ns/4.8µs

測試條件

5V, 470Ohm

反向恢復時間(trr)

1.9µs

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

900V

當前-集電極(Ic)(最大值)

145A

電流-集電極脈沖(Icm)

239A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.1V @ 15V, 47A

功率-最大

625W

開關能量

1652µJ (on), 1389µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

200nC

25°C時的Td(開/關)

18ns/149ns

測試條件

600V, 47A, 4.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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制造商

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系列

-

IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

100A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.9V @ 15V, 40A

功率-最大

391W

開關能量

4.1mJ (on), 1mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

226nC

25°C時的Td(開/關)

45ns/560ns

測試條件

600V, 40A, 23Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

71ns

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安裝類型

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包裝/箱

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45nC

25°C時的Td(開/關)

14ns/110ns

測試條件

600V, 9A, 22Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

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-55°C ~ 175°C (TJ)

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