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STGP30H60DFB

STGP30H60DFB

僅供參考

型號 STGP30H60DFB
PNEDA編號 STGP30H60DFB
描述 TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 13,284
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 31 - 四月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGP30H60DFB資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGP30H60DFB
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
STGP30H60DFB, STGP30H60DFB數據表 (總頁數: 21, 大小: 1,747.99 KB)
PDFSTGB30H60DFB數據表 封面
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STGP30H60DFB規格

制造商STMicroelectronics
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)60A
電流-集電極脈沖(Icm)120A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2V @ 15V, 30A
功率-最大260W
開關能量383µJ (on), 293µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用149nC
25°C時的Td(開/關)37ns/146ns
測試條件400V, 30A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)53ns
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

72A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.77V @ 15V, 24A

功率-最大

217W

開關能量

532µJ (on), 311µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

77nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

400V, 24A, 10Ohm, 15V

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工作溫度

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安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.95V @ 15V, 30A

功率-最大

65W

開關能量

360µJ (on), 350µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

74nC

25°C時的Td(開/關)

35ns/115ns

測試條件

400V, 30A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

80ns

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電流-集電極脈沖(Icm)

60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.8V @ 15V, 15A

功率-最大

150W

開關能量

1.05mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

69nC

25°C時的Td(開/關)

25ns/150ns

測試條件

960V, 15A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

40ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

6A

電流-集電極脈沖(Icm)

25A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.5V @ 15V, 3A

功率-最大

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開關能量

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輸入類型

Standard

門禁費用

18nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

480V, 3A, 1kOhm, 15V

反向恢復時間(trr)

1.7µs

工作溫度

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Surface Mount

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