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STGFW20H65FB

STGFW20H65FB

僅供參考

型號 STGFW20H65FB
PNEDA編號 STGFW20H65FB
描述 IGBT 650V 40A 52W TO3PF
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 8,664
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 1 - 五月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGFW20H65FB資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGFW20H65FB
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
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STGFW20H65FB規格

制造商STMicroelectronics
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)40A
電流-集電極脈沖(Icm)80A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2V @ 15V, 20A
功率-最大52W
開關能量77µJ (on), 170µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用120nC
25°C時的Td(開/關)30ns/139ns
測試條件400V, 20A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-3PFM, SC-93-3
供應商設備包裝TO-3PF

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600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

74A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 20A

功率-最大

167W

開關能量

760µJ (on), 180µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

24.6nC

25°C時的Td(開/關)

20ns/66ns

測試條件

400V, 20A, 15Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

107ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.42V @ 15V, 50A

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

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工作溫度

-

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 20A

功率-最大

150W

開關能量

150µJ (on), 700µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

90nC

25°C時的Td(開/關)

15ns/150ns

測試條件

480V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.2V @ 15V, 40A

功率-最大

500W

開關能量

929µJ (on), 1070µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

210nC

25°C時的Td(開/關)

20ns/166ns

測試條件

600V, 40A, 4.3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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