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STGF12NB60KD

STGF12NB60KD

僅供參考

型號 STGF12NB60KD
PNEDA編號 STGF12NB60KD
描述 IGBT 600V 14A 30W TO220FP
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 2,646
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 27 - 六月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGF12NB60KD資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGF12NB60KD
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
STGF12NB60KD, STGF12NB60KD數據表 (總頁數: 11, 大小: 381.08 KB)
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STGF12NB60KD規格

制造商STMicroelectronics
系列PowerMESH™
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)14A
電流-集電極脈沖(Icm)60A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.8V @ 15V, 12A
功率-最大30W
開關能量152µJ (on), 258µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用54nC
25°C時的Td(開/關)25ns/96ns
測試條件480V, 12A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)37ns
工作溫度-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3 Full Pack
供應商設備包裝TO-220FP

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Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

31A

電流-集電極脈沖(Icm)

124A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 17A

功率-最大

100W

開關能量

370µJ (on), 1.42mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

57nC

25°C時的Td(開/關)

22ns/250ns

測試條件

480V, 17A, 23Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

46ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

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Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 40A

功率-最大

268W

開關能量

1.15mJ (on), 271µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

69nC

25°C時的Td(開/關)

22ns/66ns

測試條件

400V, 40A, 6Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

37ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

78A

電流-集電極脈沖(Icm)

130A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 26A

功率-最大

337W

開關能量

409µJ (on), 258µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

128nC

25°C時的Td(開/關)

16ns/84ns

測試條件

400V, 26A, 4.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 50A

功率-最大

300W

開關能量

6mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

190nC

25°C時的Td(開/關)

70ns/200ns

測試條件

480V, 50A, 2.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

50ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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