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STGF10M65DF2

STGF10M65DF2

僅供參考

型號 STGF10M65DF2
PNEDA編號 STGF10M65DF2
描述 IGBT TRENCH 650V 20A TO220FP
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 7,164
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 13 - 六月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGF10M65DF2資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGF10M65DF2
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
STGF10M65DF2, STGF10M65DF2數據表 (總頁數: 17, 大小: 965.83 KB)
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STGF10M65DF2規格

制造商STMicroelectronics
系列M
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)20A
電流-集電極脈沖(Icm)40A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2V @ 15V, 10A
功率-最大30W
開關能量120µJ (on), 270µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用28nC
25°C時的Td(開/關)19ns/91ns
測試條件400V, 10A, 22Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)96ns
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3 Full Pack
供應商設備包裝TO-220FP

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

64A

電流-集電極脈沖(Icm)

105A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

4V @ 15V, 40A

功率-最大

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開關能量

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測試條件

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

90A

電流-集電極脈沖(Icm)

90A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 30A

功率-最大

385W

開關能量

2.11mJ (on), 1.18mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

157nC

25°C時的Td(開/關)

25ns/229ns

測試條件

600V, 30A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

153ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247AD

制造商

IXYS

系列

GenX3™, XPT™

IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

115A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.85V @ 15V, 24A

功率-最大

270W

開關能量

550µJ (on), 500µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

39nC

25°C時的Td(開/關)

23ns/97ns

測試條件

400V, 24A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

25ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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功率-最大

195W

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Standard

門禁費用

175nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

300V, 40A, 5Ohm, 15V

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