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STGD8NC60KDT4

STGD8NC60KDT4

僅供參考

型號 STGD8NC60KDT4
PNEDA編號 STGD8NC60KDT4
描述 IGBT 600V 15A 62W DPAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 8,532
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 10 - 五月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGD8NC60KDT4資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGD8NC60KDT4
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
STGD8NC60KDT4, STGD8NC60KDT4數據表 (總頁數: 18, 大小: 555.18 KB)
PDFSTGF8NC60KD數據表 封面
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STGD8NC60KDT4規格

制造商STMicroelectronics
系列PowerMESH™
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)15A
電流-集電極脈沖(Icm)30A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.75V @ 15V, 3A
功率-最大62W
開關能量55µJ (on), 85µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用19nC
25°C時的Td(開/關)17ns/72ns
測試條件390V, 3A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)23.5ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

180A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 60A

功率-最大

416W

開關能量

2.1mJ (on), 1.13mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

375nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

400V, 60A, 6Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

4.7V @ 20V, 100A

功率-最大

300W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

84nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

電流-集電極脈沖(Icm)

100A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 50A

功率-最大

150W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

75ns/300ns

測試條件

300V, 50A, 39Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

300ns

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

14A

電流-集電極脈沖(Icm)

56A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 7A

功率-最大

80W

開關能量

300µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

25nC

25°C時的Td(開/關)

10ns/100ns

測試條件

480V, 7A, 18Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

35ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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