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STGD6NC60HT4

STGD6NC60HT4

僅供參考

型號 STGD6NC60HT4
PNEDA編號 STGD6NC60HT4
描述 IGBT 600V 15A 56W DPAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 5,112
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 20 - 七月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGD6NC60HT4資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGD6NC60HT4
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
STGD6NC60HT4, STGD6NC60HT4數據表 (總頁數: 14, 大小: 473.27 KB)
PDFSTGD6NC60HT4數據表 封面
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STGD6NC60HT4規格

制造商STMicroelectronics
系列PowerMESH™
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)15A
電流-集電極脈沖(Icm)21A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.5V @ 15V, 3A
功率-最大56W
開關能量20µJ (on), 68µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用13.6nC
25°C時的Td(開/關)12ns/76ns
測試條件390V, 3A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

42A

電流-集電極脈沖(Icm)

60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 20A

功率-最大

125W

開關能量

170µJ (on), 60µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

48nC

25°C時的Td(開/關)

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反向恢復時間(trr)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

電流-集電極脈沖(Icm)

105A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 20A

功率-最大

200W

開關能量

430µJ (on), 350µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

30nC

25°C時的Td(開/關)

19ns/80ns

測試條件

400V, 20A, 20Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

135ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

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制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

當前-集電極(Ic)(最大值)

25A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.96V @ 15V, 120A

功率-最大

43W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

65nC

25°C時的Td(開/關)

36ns/112ns

測試條件

196V, 25A, 10Ohm

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

85A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 30A

功率-最大

313W

開關能量

1.21mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

270nC

25°C時的Td(開/關)

-/270ns

測試條件

600V, 30A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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