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STGD6M65DF2

STGD6M65DF2

僅供參考

型號 STGD6M65DF2
PNEDA編號 STGD6M65DF2
描述 TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 8,550
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 26 - 五月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGD6M65DF2資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGD6M65DF2
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
STGD6M65DF2, STGD6M65DF2數據表 (總頁數: 20, 大小: 909.41 KB)
PDFSTGD6M65DF2數據表 封面
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STGD6M65DF2規格

制造商STMicroelectronics
系列M
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)12A
電流-集電極脈沖(Icm)24A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2V @ 15V, 6A
功率-最大88W
開關能量36µJ (on), 200µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用21.2nC
25°C時的Td(開/關)15ns/90ns
測試條件400V, 6A, 22Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)140ns
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 20A

功率-最大

150W

開關能量

3.5mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

73nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

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反向恢復時間(trr)

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工作溫度

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電流-集電極脈沖(Icm)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 60A

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

55A

電流-集電極脈沖(Icm)

90A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 30A

功率-最大

188W

開關能量

280µJ (on), 70µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

65nC

25°C時的Td(開/關)

19ns/170ns

測試條件

400V, 15A, 23Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

55ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

PG-TO220-3

制造商

IXYS

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

55A

電流-集電極脈沖(Icm)

110A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 55A

功率-最大

200W

開關能量

1.5mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

100nC

25°C時的Td(開/關)

30ns/150ns

測試條件

480V, 30A, 4.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

50ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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