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STGD3NB60HDT4

STGD3NB60HDT4

僅供參考

型號 STGD3NB60HDT4
PNEDA編號 STGD3NB60HDT4
描述 IGBT 600V 10A 50W DPAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 7,290
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 14 - 七月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGD3NB60HDT4資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGD3NB60HDT4
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
STGD3NB60HDT4, STGD3NB60HDT4數據表 (總頁數: 10, 大小: 522.12 KB)
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STGD3NB60HDT4規格

制造商STMicroelectronics
系列PowerMESH™
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)10A
電流-集電極脈沖(Icm)24A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.8V @ 15V, 3A
功率-最大50W
開關能量33µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用21nC
25°C時的Td(開/關)5ns/53ns
測試條件480V, 3A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)95ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK

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600V

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75A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 40A

功率-最大

400W

開關能量

550µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

140nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

480V, 40A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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測試條件

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-

工作溫度

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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30µJ (on), 180µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

32nC

25°C時的Td(開/關)

33ns/65ns

測試條件

300V, 12A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

25ns

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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開關能量

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輸入類型

Standard

門禁費用

51nC

25°C時的Td(開/關)

21ns/200ns

測試條件

480V, 17A, 23Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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