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STGD10NC60KDT4

STGD10NC60KDT4

僅供參考

型號 STGD10NC60KDT4
PNEDA編號 STGD10NC60KDT4
描述 IGBT 600V 20A 62W DPAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 22,176
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 7 - 五月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGD10NC60KDT4資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGD10NC60KDT4
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
STGD10NC60KDT4, STGD10NC60KDT4數據表 (總頁數: 30, 大小: 1,653.19 KB)
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STGD10NC60KDT4規格

制造商STMicroelectronics
系列PowerMESH™
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)20A
電流-集電極脈沖(Icm)30A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.5V @ 15V, 5A
功率-最大62W
開關能量55µJ (on), 85µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用19nC
25°C時的Td(開/關)17ns/72ns
測試條件390V, 5A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)22ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.6V @ 15V, 5A

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

85nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

600V, 20A, 10Ohm, 15V

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工作溫度

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.85V @ 15V, 30A

功率-最大

240W

開關能量

3.7mJ (on), 5.7mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

126nC

25°C時的Td(開/關)

48ns/338ns

測試條件

960V, 30A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

84ns

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

22A

電流-集電極脈沖(Icm)

60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 12A

功率-最大

100W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

20.4nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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系列

PowerMESH™

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電流-集電極脈沖(Icm)

30A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 5A

功率-最大

60W

開關能量

55µJ (on), 85µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

19nC

25°C時的Td(開/關)

17ns/72ns

測試條件

390V, 5A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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