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STFI6N80K5

STFI6N80K5

僅供參考

型號 STFI6N80K5
PNEDA編號 STFI6N80K5
描述 MOSFET N-CH 800V 4.5A I2PAK-FP
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 14,580
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STFI6N80K5資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STFI6N80K5
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STFI6N80K5, STFI6N80K5數據表 (總頁數: 15, 大小: 825.45 KB)
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STFI6N80K5規格

制造商STMicroelectronics
系列SuperMESH5™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)800V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.6Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs13nC @ 10V
Vgs(最大)30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds270pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)25W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝I2PAKFP (TO-281)
包裝/箱TO-262-3 Full Pack, I²Pak

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.3mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

90nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5805pF @ 75V

FET功能

-

功耗(最大值)

500W (Tj)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

274A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.6mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

132nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11400pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

250W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

240mOhm @ 1.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

70pF @ 10V

FET功能

Schottky Diode (Isolated)

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

32A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

270mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

150nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

830W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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