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STB80NE03L-06T4

STB80NE03L-06T4

僅供參考

型號 STB80NE03L-06T4
PNEDA編號 STB80NE03L-06T4
描述 MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 3,006
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 14 - 七月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STB80NE03L-06T4資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STB80NE03L-06T4
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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STB80NE03L-06T4規格

制造商STMicroelectronics
系列STripFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)80A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs6mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs130nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6500pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)150W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 4.5V

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 38A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

48nC @ 4.5V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3980pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

140W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40.9nC @ 10V

Vgs(最大)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.8Ohm @ 2.25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

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Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

610pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.13W (Ta), 85W (Tc)

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