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STB7NK80ZT4

STB7NK80ZT4

僅供參考

型號 STB7NK80ZT4
PNEDA編號 STB7NK80ZT4
描述 MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 31,452
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 22 - 五月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STB7NK80ZT4資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STB7NK80ZT4
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STB7NK80ZT4, STB7NK80ZT4數據表 (總頁數: 17, 大小: 935.37 KB)
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STB7NK80ZT4規格

制造商STMicroelectronics
系列SuperMESH™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)800V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.2A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.8Ohm @ 2.6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs56nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1138pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)125W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

195nC @ 10V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4950pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1Ohm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

625pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

38W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

280mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.8nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

520pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

125mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

637pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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