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STB37N60DM2AG

STB37N60DM2AG

僅供參考

型號 STB37N60DM2AG
PNEDA編號 STB37N60DM2AG
描述 MOSFET N-CH 600V 28A
制造商 STMicroelectronics
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庫存 4,446
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 10 - 五月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STB37N60DM2AG資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STB37N60DM2AG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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STB37N60DM2AG規格

制造商STMicroelectronics
系列Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)28A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs110mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs54nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2400pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)210W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

135nC @ 10V

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3100pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

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漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

32mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

180nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6160pF @ 25V

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520W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.8V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

31W (Tc)

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-55°C ~ 175°C (TJ)

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